창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSP88H6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSP88 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 240V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 350mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 108µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 95pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT223-4 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | BSP88H6327XTSA1-ND BSP88H6327XTSA1TR SP001058790 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSP88H6327XTSA1 | |
관련 링크 | BSP88H632, BSP88H6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | USP1V4R7MDD | 4.7µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | USP1V4R7MDD.pdf | |
![]() | D180J25C0GL6UJ5R | 18pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D180J25C0GL6UJ5R.pdf | |
![]() | 1.5KE68C-B | TVS DIODE 58.1VWM 96.6VC AXIAL | 1.5KE68C-B.pdf | |
![]() | SRR5018-5R4Y | 5.4µH Shielded Wirewound Inductor 1.65A 76 mOhm Max 2323 (5858 Metric) | SRR5018-5R4Y.pdf | |
![]() | RCP1206W27R0GTP | RES SMD 27 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W27R0GTP.pdf | |
![]() | IDT70V05S55PFI | IDT70V05S55PFI IDT TQFP64 | IDT70V05S55PFI.pdf | |
![]() | MSM514100D-60J3DR1-7 | MSM514100D-60J3DR1-7 MSM SOJ | MSM514100D-60J3DR1-7.pdf | |
![]() | 58321M | 58321M RTC DIP-16 | 58321M.pdf | |
![]() | 78056GC156 | 78056GC156 NEC QFP80 | 78056GC156.pdf | |
![]() | UPD17202AGF8253BE | UPD17202AGF8253BE NEC SMD or Through Hole | UPD17202AGF8253BE.pdf | |
![]() | MAN6850 | MAN6850 NSC DIPSOP | MAN6850.pdf | |
![]() | KS5520-07 | KS5520-07 SEC DIP-24 | KS5520-07.pdf |