홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » BSP52T3G

ON Semiconductor BSP52T3G

BSP52T3G
제조업체 부품 번호
BSP52T3G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
데이터 시트 다운로드
다운로드
BSP52T3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 122.33502
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BSP52T3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. BSP52T3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSP52T3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BSP52T3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSP52T3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSP52T3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSP52T1,T3
PCN 설계/사양Datasheet MSL Updated 2/April/2007
Wire Bond 01/Dec/2010
PCN 포장Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)80V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1.3V @ 500µA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)10µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce2000 @ 500mA, 10V
전력 - 최대800mW
주파수 - 트랜지션-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223
표준 포장 4,000
다른 이름BSP52T3G-ND
BSP52T3GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSP52T3G
관련 링크BSP5, BSP52T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
BSP52T3G 의 관련 제품
0.22µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.197" W (13.00mm x 5.00mm) B32521C3224K189.pdf
MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8 DMN6040SSDQ-13.pdf
RES SMD 820 OHM 0.1% 1/8W 0805 RG2012N-821-B-T5.pdf
RES ARRAY 4 RES 13K OHM 1206 TC164-FR-0713KL.pdf
NTC Thermistor 2k Bead, Glass B57551G202H.pdf
TC74VHC08FT-EL TOSHIBA SSOP TC74VHC08FT-EL.pdf
MP7543KD100 MICROPOWER SMD or Through Hole MP7543KD100.pdf
47659-1001 MOLEX SMD or Through Hole 47659-1001.pdf
MIC2544-1YMM/TR MICREL 8-PINMSOP MIC2544-1YMM/TR.pdf