Infineon Technologies BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1
제조업체 부품 번호
BSP372NH6327XTSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
데이터 시트 다운로드
다운로드
BSP372NH6327XTSA1 가격 및 조달

가능 수량

9550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 218.83530
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BSP372NH6327XTSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSP372NH6327XTSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSP372NH6327XTSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BSP372NH6327XTSA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSP372NH6327XTSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSP372NH6327XTSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSP372N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs230m옴 @ 1.8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.8V @ 218µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14.3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds329pF @ 25V
전력 - 최대1.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지PG-SOT223-4
표준 포장 1,000
다른 이름BSP372NH6327XTSA1-ND
BSP372NH6327XTSA1TR
SP001059326
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSP372NH6327XTSA1
관련 링크BSP372NH63, BSP372NH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
BSP372NH6327XTSA1 의 관련 제품
FUSE CERAMIC 800MA 250VAC AXIAL 0677.800DRT4.pdf
1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA Enable/Disable SIT8208AI-2-25E.pdf
TRANS NPN 120V 8A TO3P 2SC4467.pdf
HMC409LP3ETR Hittite MLP HMC409LP3ETR.pdf
TLE4473GV55-2TR Infineon SMD or Through Hole TLE4473GV55-2TR.pdf
1141MK LUCENT SOP-16 1141MK.pdf
S-875039BUP-ABD-T2 SEIKO SOT89-5 S-875039BUP-ABD-T2.pdf
LTC1009CSW LT SOP LTC1009CSW.pdf
BTS43212 INFINEON TO-263 BTS43212.pdf
V585ME06-LF RFMD sop V585ME06-LF.pdf
NJM4558M TE1 JRC SOP 8 NJM4558M TE1.pdf
SSTUA32866EC,551 NXP SSTUA32866EC LFBGA96 SSTUA32866EC,551.pdf