Infineon Technologies BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1
제조업체 부품 번호
BSP297H6327XTSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
데이터 시트 다운로드
다운로드
BSP297H6327XTSA1 가격 및 조달

가능 수량

10550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 231.28934
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BSP297H6327XTSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSP297H6327XTSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSP297H6327XTSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BSP297H6327XTSA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSP297H6327XTSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSP297H6327XTSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSP297
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열SIPMOS®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C660mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.8옴 @ 660mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.8V @ 400µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs16.1nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds357pF @ 25V
전력 - 최대1.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지PG-SOT223-4
표준 포장 1,000
다른 이름BSP297H6327XTSA1TR
SP001058622
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSP297H6327XTSA1
관련 링크BSP297H63, BSP297H6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
BSP297H6327XTSA1 의 관련 제품
15µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2910 (7227 Metric) 600 mOhm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) T95Z156K025CSSL.pdf
28.63636MHz ±30ppm 수정 12pF -40°C ~ 85°C AEC-Q200 스루홀 HC49/US AS-28.63636MAHE-B.pdf
AC/DC CONVERTER 5V 100W VMS-100-5.pdf
RES SMD 2M OHM 1% 1/4W 1206 ERJ-8ENF2004V.pdf
EK62256MS-35L EM SMD or Through Hole EK62256MS-35L.pdf
UUD1E220MCL NICHICON SMD UUD1E220MCL.pdf
GCIXP1250AB INTEL BGA GCIXP1250AB.pdf
338S0289 ORIGINAL QFN 338S0289.pdf
ERD32D6C2D390JD02B MURATA SMD or Through Hole ERD32D6C2D390JD02B.pdf
IS24C04A ISSI SOP-8 IS24C04A.pdf
MC2882F MOT SOP MC2882F.pdf