창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSP220,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSP220 | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 225mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 200mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 90pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SC-73 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-6221-2 934000490115 BSP220 T/R BSP220 T/R-ND BSP220,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSP220,115 | |
| 관련 링크 | BSP220, BSP220,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | RT0402FRE0710KL | RES SMD 10K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE0710KL.pdf | |
![]() | Y1189250R000BR0L | RES 250 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y1189250R000BR0L.pdf | |
![]() | MB81G83222-010 | MB81G83222-010 FUJITSU QFP-100 | MB81G83222-010.pdf | |
![]() | MC54HC138AJ | MC54HC138AJ ORIGINAL c | MC54HC138AJ.pdf | |
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![]() | NFM4516R13C471RTM00-67/TF | NFM4516R13C471RTM00-67/TF ORIGINAL SMD or Through Hole | NFM4516R13C471RTM00-67/TF.pdf | |
![]() | NG80386D-X-40 | NG80386D-X-40 AMD QFP | NG80386D-X-40.pdf | |
![]() | SI581DJ | SI581DJ SI DIP-8 | SI581DJ.pdf | |
![]() | L2A1950 | L2A1950 ORIGINAL BGA | L2A1950.pdf | |
![]() | 47616VD | 47616VD avetron SMD or Through Hole | 47616VD.pdf | |
![]() | RTM865-380 | RTM865-380 RT SSOP56 | RTM865-380.pdf |