창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSP149H6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSP149 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 660mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8옴 @ 660mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 400µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT223-4 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | BSP149H6327XTSA1TR SP001058818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSP149H6327XTSA1 | |
관련 링크 | BSP149H63, BSP149H6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
7427247 | Hinged (Snap On), Key Required Free Hanging Ferrite Core 192 Ohm @ 100MHz ID 2.539" W x 0.049" H (64.50mm x 1.27mm) OD 3.326" W x 0.629" H (84.50mm x 16.00mm) Length 1.303" (33.10mm) | 7427247.pdf | ||
160-100MS | 10nH Unshielded Inductor 1.59A 50 mOhm Max Nonstandard | 160-100MS.pdf | ||
HA11423MPEL | HA11423MPEL RENESAS SMD | HA11423MPEL.pdf | ||
SI1305EDL-T1 | SI1305EDL-T1 SI SMD or Through Hole | SI1305EDL-T1.pdf | ||
TPSC106K025R0100 | TPSC106K025R0100 AVX SMD | TPSC106K025R0100.pdf | ||
NCP3488DR2G 2500/ | NCP3488DR2G 2500/ ON SOP | NCP3488DR2G 2500/.pdf | ||
300LS-220J=P3 | 300LS-220J=P3 COILCRAFT SMD or Through Hole | 300LS-220J=P3.pdf | ||
8734/337A | 8734/337A N/A SOT-23-5 | 8734/337A.pdf | ||
RCR3145 | RCR3145 RCR SOT23-5L | RCR3145.pdf | ||
HC1-6508-2 | HC1-6508-2 ORIGINAL DIP | HC1-6508-2.pdf | ||
3225T-820J | 3225T-820J ORIGINAL SMD or Through Hole | 3225T-820J.pdf | ||
53C875E | 53C875E ORIGINAL QFP | 53C875E.pdf |