창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSP125H6433XTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSP125 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | * | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 94µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT223-4 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | SP001058578 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSP125H6433XTMA1 | |
| 관련 링크 | BSP125H64, BSP125H6433XTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | MA-506 12.0000M-B3: PURE SN | 12MHz ±50ppm 수정 16pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 12.0000M-B3: PURE SN.pdf | |
| AON7752 | MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN | AON7752.pdf | ||
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![]() | U2Z75 | U2Z75 TOSHIBA I-FLAT2 | U2Z75.pdf | |
![]() | SOT-23-BHD | SOT-23-BHD KEC SOT-23 | SOT-23-BHD.pdf | |
![]() | T398A335M016AS7301 | T398A335M016AS7301 KEMET SMD or Through Hole | T398A335M016AS7301.pdf | |
![]() | CT3231-M-FP | CT3231-M-FP ORIGINAL SMD or Through Hole | CT3231-M-FP.pdf | |
![]() | S-80827ANUP | S-80827ANUP SEIKO SOT-89 | S-80827ANUP.pdf | |
![]() | XL08 | XL08 ORIGINAL TO-92 | XL08.pdf | |
![]() | 67CPSOX-1 | 67CPSOX-1 MAGNECRAFT SMD or Through Hole | 67CPSOX-1.pdf | |
![]() | NRSNA4I2J220TRF | NRSNA4I2J220TRF NIC SMD or Through Hole | NRSNA4I2J220TRF.pdf |