창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSP122,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSP122 | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 550mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 750mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SC-73 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 568-6849-2 934019820115 BSP122 T/R BSP122 T/R-ND BSP122,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSP122,115 | |
관련 링크 | BSP122, BSP122,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
VJ0603D910GLXAJ | 91pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D910GLXAJ.pdf | ||
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F339MX232231JDM2B0 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F339MX232231JDM2B0.pdf | ||
ESR25JZPJ1R6 | RES SMD 1.6 OHM 5% 1/2W 1210 | ESR25JZPJ1R6.pdf | ||
RT0603DRE0780R6L | RES SMD 80.6 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0780R6L.pdf | ||
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3843CP-E1 | 3843CP-E1 BCD DIP-8 | 3843CP-E1.pdf | ||
SBA500AA40 | SBA500AA40 SanRex SMD or Through Hole | SBA500AA40.pdf | ||
G5652-022 | G5652-022 API SMD | G5652-022.pdf | ||
LCM76601M | LCM76601M NSC SMD or Through Hole | LCM76601M.pdf | ||
PC74HC563P | PC74HC563P PHI DIP | PC74HC563P.pdf |