Infineon Technologies BSO615C G
- 제조업체 부품 번호
- BSO615C G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
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BSO615C G 가격 및 조달
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8550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 370.65600
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EIS에는 BSO615C G 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSO615C G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSO615C G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
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BSO615C G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSO615C G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSO615C | |
| PCN 포장 | Dry Packing Box Update 24/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A, 2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 3.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 20µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | BSO615C BSO615C G-ND BSO615CG BSO615CGHUMA1 BSO615CGT BSO615CGXT BSO615CINTR SP000216311 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSO615C G | |
| 관련 링크 | BSO61, BSO615C G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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