창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSO4822T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | BSO4822XTINTR SP000013622 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 12.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 55µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26.2nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSO4822T | |
관련 링크 | BSO4, BSO4822T 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
DF10G5M4N,LF | TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN | DF10G5M4N,LF.pdf | ||
XQEAWT-H2-0000-00000HBE7 | LED Lighting XLamp® XQ-E White, Warm 3000K 2.9V 350mA 120° 2-SMD, No Lead | XQEAWT-H2-0000-00000HBE7.pdf | ||
SDR6603-151M | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 2 Ohm Max Nonstandard | SDR6603-151M.pdf | ||
SCRH127B-101 | 100µH Shielded Inductor 1.8A 220 mOhm Max Nonstandard | SCRH127B-101.pdf | ||
CRCW12101R74FNEA | RES SMD 1.74 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12101R74FNEA.pdf | ||
RD3.0MT1B | RD3.0MT1B NEC SMD or Through Hole | RD3.0MT1B.pdf | ||
2NBS16-RG2-512 | 2NBS16-RG2-512 ORIGINAL SOP | 2NBS16-RG2-512.pdf | ||
ADM8829ARTZREEL7 | ADM8829ARTZREEL7 ADI SOT23-6 | ADM8829ARTZREEL7.pdf | ||
ML401 | ML401 TriQuint SOIC-8 | ML401.pdf | ||
CLVTH16652IDGGREP | CLVTH16652IDGGREP TI TSSOP-56 | CLVTH16652IDGGREP.pdf | ||
MMA020450BL620RF | MMA020450BL620RF vishay SMD or Through Hole | MMA020450BL620RF.pdf |