창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSO211PHXUMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSO211P H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 4.6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1095pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | BSO211P H BSO211P H-ND SP000613844 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSO211PHXUMA1 | |
| 관련 링크 | BSO211P, BSO211PHXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 101C184U063DG2DP | ALUM-SCREW TERMINAL | 101C184U063DG2DP.pdf | |
![]() | TNPW1206365RBETA | RES SMD 365 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206365RBETA.pdf | |
![]() | SMP1307-011 TEL:82766440 | SMP1307-011 TEL:82766440 Skyworks SMD or Through Hole | SMP1307-011 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 1000UF 10V 8*11 M | 1000UF 10V 8*11 M LBS 8 11 | 1000UF 10V 8*11 M.pdf | |
![]() | LB93J103 | LB93J103 n/a BGA | LB93J103.pdf | |
![]() | 1926757-1 | 1926757-1 TE SMD or Through Hole | 1926757-1.pdf | |
![]() | 2SK3857-TT-B | 2SK3857-TT-B Toshiba ABC | 2SK3857-TT-B.pdf | |
![]() | MB86243P | MB86243P FUJITSU DIP | MB86243P.pdf | |
![]() | MU88BGYV | MU88BGYV INTEL BGA | MU88BGYV.pdf | |
![]() | HI4P 5002-5 | HI4P 5002-5 MICROCHIP NULL | HI4P 5002-5.pdf | |
![]() | 901583E | 901583E ORIGINAL QFP | 901583E.pdf | |
![]() | LT1992IMS8#PBF | LT1992IMS8#PBF LINEAR MSOP8 | LT1992IMS8#PBF.pdf |