창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSO203PHXUMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSO203P H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 8.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | P-DSO-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | BSO203P H BSO203P H-ND BSO203P HTR-ND BSO203PH SP000613858 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSO203PHXUMA1 | |
| 관련 링크 | BSO203P, BSO203PHXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | V275LA10PX1347 | VARISTOR 430V 2.5KA DISC 10MM | V275LA10PX1347.pdf | |
![]() | ASTMHTE-32.000MHZ-ZR-E-T3 | 32MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-32.000MHZ-ZR-E-T3.pdf | |
![]() | CRCW0603620KFKEAHP | RES SMD 620K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW0603620KFKEAHP.pdf | |
![]() | C14D32P-B2 | ENCODER OPT 32PPR DET 5"CABLE | C14D32P-B2.pdf | |
![]() | SMA-E1001 | SMA-E1001 SK SQL-15 | SMA-E1001.pdf | |
![]() | RXJ-470UF 10V 10*12 | RXJ-470UF 10V 10*12 ST SMD or Through Hole | RXJ-470UF 10V 10*12.pdf | |
![]() | TND-939 | TND-939 ORIGINAL DIP | TND-939.pdf | |
![]() | MAX6357SYUT-T | MAX6357SYUT-T MAX SMD or Through Hole | MAX6357SYUT-T.pdf | |
![]() | 215CDABKA13FG | 215CDABKA13FG ATI BGA | 215CDABKA13FG.pdf | |
![]() | MC44460 | MC44460 MOTO DIP | MC44460.pdf | |
![]() | PC19656-BA66B1 | PC19656-BA66B1 ORIGINAL SMD or Through Hole | PC19656-BA66B1.pdf | |
![]() | LA76936Y7N59J3 | LA76936Y7N59J3 SANYO DIP | LA76936Y7N59J3.pdf |