Infineon Technologies BSO150N03MD G

BSO150N03MD G
제조업체 부품 번호
BSO150N03MD G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
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내부 부품 번호EIS-BSO150N03MD G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSO150N03MD G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs15m옴 @ 9.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs17nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1300pF @ 15V
전력 - 최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지PG-DSO-8
표준 포장 2,500
다른 이름BSO150N03MD G-ND
BSO150N03MDG
BSO150N03MDGXUMA1
SP000447476
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSO150N03MD G
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