창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSO110N03MSGXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSO110N03MS G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 12.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | BSO110N03MS G BSO110N03MS G-ND BSO110N03MS GINTR BSO110N03MS GINTR-ND SP000446062 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSO110N03MSGXUMA1 | |
관련 링크 | BSO110N03M, BSO110N03MSGXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 0402YJ3R9ABWTR | 3.9pF Thin Film Capacitor 16V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 0402YJ3R9ABWTR.pdf | |
![]() | DF04M-E3/45 | DIODE GPP 1A 400V 4DIP | DF04M-E3/45.pdf | |
![]() | IXTA44P15TTRL | MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 | IXTA44P15TTRL.pdf | |
![]() | YC102-JR-07160KL | RES ARRAY 2 RES 160K OHM 0302 | YC102-JR-07160KL.pdf | |
![]() | 74ALVCH32244BF | 74ALVCH32244BF IDT BGA | 74ALVCH32244BF.pdf | |
![]() | 480002001 | 480002001 MOLEX SMD or Through Hole | 480002001.pdf | |
![]() | CY7237128P160-100AC | CY7237128P160-100AC CYPRESS TQFP | CY7237128P160-100AC.pdf | |
![]() | MGF4935BM | MGF4935BM MITSUBISH SOT343 | MGF4935BM.pdf | |
![]() | 74FST3345DT | 74FST3345DT ONPb TSSOP | 74FST3345DT.pdf | |
![]() | G3ATB504M | G3ATB504M TOCOS SMD | G3ATB504M.pdf | |
![]() | DETA | DETA INTERSIL DFN-10 | DETA.pdf |