창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSO065N03MSGXUMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSO065N03MS G | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 26/Jul/2012 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | BSO065N03MS GINCT BSO065N03MS GINCT-ND BSO065N03MSG | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSO065N03MSGXUMA1 | |
| 관련 링크 | BSO065N03M, BSO065N03MSGXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385512040JII2B0 | 1.2µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.472" W (26.00mm x 12.00mm) | MKP385512040JII2B0.pdf | |
![]() | ERJ-1GNF1401C | RES SMD 1.4K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF1401C.pdf | |
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![]() | SP208ET-L/TR | SP208ET-L/TR ORIGINAL SMD or Through Hole | SP208ET-L/TR.pdf | |
![]() | CVM40CD80 | CVM40CD80 SANREX SMD or Through Hole | CVM40CD80.pdf | |
![]() | 74AHC257D | 74AHC257D PHI SOP | 74AHC257D.pdf | |
![]() | 101070 | 101070 MICROCHI SOP-8 | 101070.pdf | |
![]() | 159-1636 | 159-1636 KOBICONN/WSI SMD or Through Hole | 159-1636.pdf | |
![]() | TLP3082(S | TLP3082(S Toshiba DIP6 | TLP3082(S.pdf | |
![]() | K4S640832E-TC75 | K4S640832E-TC75 SAM TSOP-54 | K4S640832E-TC75.pdf | |
![]() | SR433.42A | SR433.42A ORIGINAL 3P | SR433.42A.pdf | |
![]() | 8506301YA | 8506301YA NONE MIL | 8506301YA.pdf |