Infineon Technologies BSO051N03MS G

BSO051N03MS G
제조업체 부품 번호
BSO051N03MS G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
데이터 시트 다운로드
다운로드
BSO051N03MS G 가격 및 조달

가능 수량

13028 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 478.18300
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BSO051N03MS G 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSO051N03MS G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSO051N03MS G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BSO051N03MS G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSO051N03MS G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSO051N03MS G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSO051N03MS G
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 26/Jul/2012
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C14A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.1m옴 @ 18A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs55nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4300pF @ 15V
전력 - 최대1.56W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지PG-DSO-8
표준 포장 1
다른 이름BSO051N03MS GINCT
BSO051N03MSG
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSO051N03MS G
관련 링크BSO051N, BSO051N03MS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
BSO051N03MS G 의 관련 제품
24.576MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) ECS-245.7-10-37Q-EP-TR.pdf
VARACTOR SMV2023-011LF.pdf
Pressure Sensor ±1.45 PSI (±10 kPa) Differential Male - 0.16" (3.94mm) Tube, Dual 0 mV ~ 22 mV (5V) 4-SIP, Dual Ports, Same Side TSCSHHN100MDUCV.pdf
12N120 ORIGINAL TO3P 12N120.pdf
68K ORIGINAL 1812 68K.pdf
16TWL470M10X16 RUBYCON DIP 16TWL470M10X16.pdf
MBT2222AT ON/LRC SOC-89 MBT2222AT.pdf
AD9280ARSRL AD SSOP28 AD9280ARSRL.pdf
KM1 SF OMRON/ null KM1 SF.pdf
FDS6288_NL FAIRCHILD SOP8 FDS6288_NL.pdf