창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSO051N03MS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSO051N03MS G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 26/Jul/2012 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | BSO051N03MS GINCT BSO051N03MSG | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSO051N03MS G | |
관련 링크 | BSO051N, BSO051N03MS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 06035C333KA12A | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C333KA12A.pdf | |
![]() | SIT8008BI-32-33E-8.000000Y | OSC XO 3.3V 8MHZ OE | SIT8008BI-32-33E-8.000000Y.pdf | |
![]() | ERJ-MP3KF7M0U | RES SMD 0.007 OHM 1% 1/2W 2010 | ERJ-MP3KF7M0U.pdf | |
![]() | KBU604 | KBU604 SEP KBU | KBU604.pdf | |
![]() | SFI0805ML240A/ | SFI0805ML240A/ ORIGINAL SMD or Through Hole | SFI0805ML240A/.pdf | |
![]() | 500R15N121JV | 500R15N121JV JOHANSON SMD or Through Hole | 500R15N121JV.pdf | |
![]() | 2SK383 | 2SK383 HITACHI TO-220 | 2SK383.pdf | |
![]() | HY301-05 | HY301-05 HY DIP-4 | HY301-05.pdf | |
![]() | OR3L165B7BM680I-DB | OR3L165B7BM680I-DB Lattice PBGAM-680P | OR3L165B7BM680I-DB.pdf | |
![]() | RVG3A08-203VM-TP | RVG3A08-203VM-TP MURATA SMD or Through Hole | RVG3A08-203VM-TP.pdf | |
![]() | AD9701DQ | AD9701DQ AD CDIP | AD9701DQ.pdf |