창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSN20-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSN20 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8옴 @ 220mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 40pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSN20-7DITR BSN207 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSN20-7 | |
| 관련 링크 | BSN2, BSN20-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 3094R-151JS | 150nH Unshielded Inductor 790mA 80 mOhm Max 2-SMD | 3094R-151JS.pdf | |
![]() | RT0603CRD07191RL | RES SMD 191 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRD07191RL.pdf | |
![]() | B5J430E | RES 430 OHM 5.25W 5% AXIAL | B5J430E.pdf | |
![]() | VDD9608A8A | VDD9608A8A VDATA SOP | VDD9608A8A.pdf | |
![]() | F0A | F0A ORIGINAL SOT-323 | F0A.pdf | |
![]() | LH12108DF | LH12108DF FPE SMD or Through Hole | LH12108DF.pdf | |
![]() | LNBP10LPUR | LNBP10LPUR ST SMD or Through Hole | LNBP10LPUR.pdf | |
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![]() | BU9258 | BU9258 ORIGINAL SMD or Through Hole | BU9258.pdf | |
![]() | DS4E-SDC48V | DS4E-SDC48V ARO SMD or Through Hole | DS4E-SDC48V.pdf | |
![]() | AM49-0028 | AM49-0028 M/A-COM SMD or Through Hole | AM49-0028.pdf | |
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