창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSM75GB170DN2HOSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSM75GB170DN2 | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL Update 7/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
IGBT 유형 | - | |
구성 | 하프브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1700V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 110A | |
전력 - 최대 | 625W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 11nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 모듈 | |
공급 장치 패키지 | 모듈 | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | SP000100464 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSM75GB170DN2HOSA1 | |
관련 링크 | BSM75GB170, BSM75GB170DN2HOSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CD4CD080DO3F | 8pF Mica Capacitor 500V Radial 0.291" L x 0.110" W (7.40mm x 2.80mm) | CD4CD080DO3F.pdf | |
![]() | CAL45VB270K | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 1.13A 330 mOhm Max Axial | CAL45VB270K.pdf | |
![]() | ERJ13ZYJxxxU | ERJ13ZYJxxxU Panasonic SMD or Through Hole | ERJ13ZYJxxxU.pdf | |
![]() | 6SP680M+T | 6SP680M+T SANYO SMD or Through Hole | 6SP680M+T.pdf | |
![]() | MFC800A1600V | MFC800A1600V ORIGINAL SMD or Through Hole | MFC800A1600V.pdf | |
![]() | MJE13007(PHE13007) | MJE13007(PHE13007) NXP SMD or Through Hole | MJE13007(PHE13007).pdf | |
![]() | 2SA1162-GR SG | 2SA1162-GR SG TOS SOT23 | 2SA1162-GR SG.pdf | |
![]() | SUD50P08-26L | SUD50P08-26L ORIGINAL SMD or Through Hole | SUD50P08-26L.pdf | |
![]() | NMA2409S | NMA2409S C&D SIP | NMA2409S.pdf | |
![]() | T494X107K020A | T494X107K020A KEMET SMD | T494X107K020A.pdf | |
![]() | M29F800FT55N3E2/M29F800FT55N3F2 | M29F800FT55N3E2/M29F800FT55N3F2 MICRON TSOP-48 | M29F800FT55N3E2/M29F800FT55N3F2.pdf | |
![]() | CDRH5D28-470NC-T | CDRH5D28-470NC-T ORIGINAL SMD or Through Hole | CDRH5D28-470NC-T.pdf |