Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSM75GB170DN2HOSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- IGBT - 모듈
- 간단한 설명
- IGBT 1700V 110A 625W MODULE
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BSM75GB170DN2HOSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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BSM75GB170DN2HOSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSM75GB170DN2HOSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSM75GB170DN2 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL Update 7/Jul/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 구성 | 하프브리지 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1700V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 110A | |
| 전력 - 최대 | 625W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 11nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | 모듈 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | SP000100464 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSM75GB170DN2HOSA1 | |
| 관련 링크 | BSM75GB170, BSM75GB170DN2HOSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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