창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSL305SPEH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSL305SPE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 5.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 20µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 939pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSOP6-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP000953150 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSL305SPEH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BSL305SPEH6, BSL305SPEH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1H4R3BD01D | 4.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H4R3BD01D.pdf | |
![]() | 5300-47-RC | 6.8mH Unshielded Wirewound Inductor 59mA 58 Ohm Max Axial | 5300-47-RC.pdf | |
![]() | CP000225R00JB14 | RES 25 OHM 2W 5% AXIAL | CP000225R00JB14.pdf | |
![]() | KW1-12D24S | KW1-12D24S SANGUEI SIP | KW1-12D24S.pdf | |
![]() | TC5118160J-60 | TC5118160J-60 TC SOJ | TC5118160J-60.pdf | |
![]() | PJ1937AM | PJ1937AM PENGJUN SOT23-5 | PJ1937AM.pdf | |
![]() | CL10A225KO8NNN | CL10A225KO8NNN SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10A225KO8NNN.pdf | |
![]() | MJE13005L-A1 | MJE13005L-A1 UTC TO-126 | MJE13005L-A1.pdf | |
![]() | TSL675-330NP | TSL675-330NP ORIGINAL SMD or Through Hole | TSL675-330NP.pdf | |
![]() | D323GB209I | D323GB209I AMD BGA | D323GB209I.pdf | |
![]() | A5864 | A5864 DELCO SOT-252 | A5864.pdf |