창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSL211SPH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSL211SP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 4.7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 25µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 654pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | P-TSOP6-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001100652 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSL211SPH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BSL211SPH6, BSL211SPH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FA18NP01H332JNU06 | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA18NP01H332JNU06.pdf | |
![]() | SZMM3Z5V1ST1G | DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323 | SZMM3Z5V1ST1G.pdf | |
![]() | MCR50JZHJLR20 | RES SMD 0.2 OHM 5% 1/2W 2010 | MCR50JZHJLR20.pdf | |
![]() | Y0007200R000T139L | RES 200 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0007200R000T139L.pdf | |
![]() | MR87C196KB15 | MR87C196KB15 INTEL LCC | MR87C196KB15.pdf | |
![]() | 1X16LKTW-SS=1*16 | 1X16LKTW-SS=1*16 USA TSSOP | 1X16LKTW-SS=1*16.pdf | |
![]() | 750310040 | 750310040 WE SOPDIP | 750310040.pdf | |
![]() | LC4064V75T100-10 | LC4064V75T100-10 LATTICE TQFP100 | LC4064V75T100-10.pdf | |
![]() | XC44614P | XC44614P MOT DIP | XC44614P.pdf | |
![]() | CL10C390JC8NNN | CL10C390JC8NNN SAMSUNG SMD | CL10C390JC8NNN.pdf |