창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSH111BKR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSH111BK | |
주요제품 | 55 V, N-Channel Trench MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 210mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 200mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 30pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 302mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-236AB | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-12637-2 934068056215 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSH111BKR | |
관련 링크 | BSH11, BSH111BKR 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | C1608JB1E154K080AA | 0.15µF 25V 세라믹 커패시터 JB 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608JB1E154K080AA.pdf | |
![]() | 1N4044R | DIODE GEN PURP 50V 275A DO205AB | 1N4044R.pdf | |
![]() | MP21Y-30-1350-AS | SYSTEM | MP21Y-30-1350-AS.pdf | |
![]() | RH2V225M10016BB271 | RH2V225M10016BB271 SAMWHA SMD or Through Hole | RH2V225M10016BB271.pdf | |
![]() | EF68A50J | EF68A50J ST CDIP24 | EF68A50J.pdf | |
![]() | TA78L019AP | TA78L019AP TOSHIBA TO-92L | TA78L019AP.pdf | |
![]() | SS8PH96-M3/86A | SS8PH96-M3/86A VISHAY TO-277A(SMPC) | SS8PH96-M3/86A.pdf | |
![]() | 19092031 | 19092031 MOLEX SMD or Through Hole | 19092031.pdf | |
![]() | S5H1432X01-J070 | S5H1432X01-J070 SAMSUNG SMD or Through Hole | S5H1432X01-J070.pdf | |
![]() | KA1L0880R | KA1L0880R FSC TO-220F 4PS | KA1L0880R.pdf | |
![]() | NH82801IH-QP04 | NH82801IH-QP04 INTEL BGA | NH82801IH-QP04.pdf | |
![]() | LTC1096LI | LTC1096LI LT SOP8 | LTC1096LI.pdf |