창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSH105,235 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSH105 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.05A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 600mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 570mV @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.9nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 152pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 417mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 934054715235 BSH105 /T3 BSH105 /T3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSH105,235 | |
관련 링크 | BSH105, BSH105,235 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
SMD914E.3LF/D | SMD914E.3LF/D ORIGINAL SMD or Through Hole | SMD914E.3LF/D.pdf | ||
K1109G-J35D | K1109G-J35D UTC SOT-23 T R | K1109G-J35D.pdf | ||
SM16132 | SM16132 ORIGINAL QFP44 | SM16132.pdf | ||
TR115-F1-TR | TR115-F1-TR SolidState SMD or Through Hole | TR115-F1-TR.pdf | ||
2SC3326-A(T5L,T) | 2SC3326-A(T5L,T) Toshiba SMD or Through Hole | 2SC3326-A(T5L,T).pdf | ||
TI031D | TI031D MOT SOP8 | TI031D.pdf | ||
F503R | F503R RICOH SOT23-5 | F503R.pdf | ||
CY39100V208-125NTC | CY39100V208-125NTC CYPRESS TQFP | CY39100V208-125NTC.pdf | ||
TC55V200FT-55 | TC55V200FT-55 TOSHIBA TSOP | TC55V200FT-55.pdf | ||
MCD-3T4C-001 | MCD-3T4C-001 UNI SMD or Through Hole | MCD-3T4C-001.pdf | ||
GJ232RF51H685ZD01L | GJ232RF51H685ZD01L mur SMD or Through Hole | GJ232RF51H685ZD01L.pdf |