창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSH103,235 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSH103 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 850mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 500mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 400mV @ 1mA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.1nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 83pF @ 24V | |
| 전력 - 최대 | 540mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-11607-2 934054713235 BSH103 /T3 BSH103 /T3-ND BSH103,235-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSH103,235 | |
| 관련 링크 | BSH103, BSH103,235 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | LSISAS1064E B1 | LSISAS1064E B1 LSI BGA | LSISAS1064E B1.pdf | |
![]() | 1MB60-090 | 1MB60-090 ORIGINAL TO-3PL | 1MB60-090.pdf | |
![]() | STR6514 | STR6514 ORIGINAL SMD or Through Hole | STR6514.pdf | |
![]() | DAC7800KU/1K | DAC7800KU/1K TI SMD or Through Hole | DAC7800KU/1K.pdf | |
![]() | TL062 T/R | TL062 T/R UTC SOP8 | TL062 T/R.pdf | |
![]() | 2R-150A2L | 2R-150A2L ORIGINAL SMD or Through Hole | 2R-150A2L.pdf | |
![]() | 5464/BEAJC | 5464/BEAJC TI CDIP | 5464/BEAJC.pdf | |
![]() | U30D30A | U30D30A MOSPEC TO-247-3 | U30D30A.pdf | |
![]() | MGCC2012M900T-2-LF | MGCC2012M900T-2-LF TCL SMD | MGCC2012M900T-2-LF.pdf | |
![]() | SRU1048-470Y/BRN | SRU1048-470Y/BRN AWSC-BROKERSPEM SMD or Through Hole | SRU1048-470Y/BRN.pdf | |
![]() | IVGC0158 | IVGC0158 IDEA SMD or Through Hole | IVGC0158.pdf | |
![]() | RK73B3ATTD3R3J | RK73B3ATTD3R3J KOA SMD | RK73B3ATTD3R3J.pdf |