창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSG0813NDIATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSG0813NDI | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A, 33A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TISON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001241676 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSG0813NDIATMA1 | |
| 관련 링크 | BSG0813ND, BSG0813NDIATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FIPC50 | FIPC50 IOR TO3P | FIPC50.pdf | |
![]() | BA5813FM | BA5813FM ROHM SMD or Through Hole | BA5813FM.pdf | |
![]() | TC40H163P | TC40H163P TOSHIBA NA | TC40H163P.pdf | |
![]() | CX24252-24BZ | CX24252-24BZ TRIDENT SMD or Through Hole | CX24252-24BZ.pdf | |
![]() | ICX098AK-A | ICX098AK-A SONY DIP | ICX098AK-A.pdf | |
![]() | ZMM55C27TR | ZMM55C27TR panjit INSTOCKPACK2500 | ZMM55C27TR.pdf | |
![]() | LT1628CS8 | LT1628CS8 LT SOP8 | LT1628CS8.pdf | |
![]() | P9836AB | P9836AB ORIGINAL SMD or Through Hole | P9836AB.pdf | |
![]() | MCH323FN226ZK | MCH323FN226ZK ROHM SMD | MCH323FN226ZK.pdf | |
![]() | P6SMBJ90-T1 | P6SMBJ90-T1 WTE SMD | P6SMBJ90-T1.pdf | |
![]() | LW053A . | LW053A . ORIGINAL QFN | LW053A ..pdf | |
![]() | ELXJ160ETD272ML25S | ELXJ160ETD272ML25S NIPPONCHEMI-COM DIP | ELXJ160ETD272ML25S.pdf |