Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1
제조업체 부품 번호
BSG0810NDIATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
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내부 부품 번호EIS-BSG0810NDIATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSG0810NDI
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 비대칭
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C19A, 39A
Rds On(최대) @ Id, Vgs3m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.4nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1040pF @ 12V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 155°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TISON-8
표준 포장 5,000
다른 이름SP001241674
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSG0810NDIATMA1
관련 링크BSG0810ND, BSG0810NDIATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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