Infineon Technologies BSD816SNL6327HTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSD816SNL6327HTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
BSD816SNL6327HTSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 66.71811
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 BSD816SNL6327HTSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSD816SNL6327HTSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSD816SNL6327HTSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- BSD816SNL6327HTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSD816SNL6327HTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSD816SNL6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSD816SN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 1.4A, 2.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 3.7µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(2.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT363-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSD816SN L6327 BSD816SN L6327-ND BSD816SN L6327TR-ND BSD816SNL6327 SP000464868 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSD816SNL6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BSD816SNL6, BSD816SNL6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
BSD816SNL6327HTSA1 의 관련 제품
 | 520R20IA19M2000 | 19.2MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3V 2mA | 520R20IA19M2000.pdf | |
 | ASG-P-V-B-1.24416GHZ-T | 1.24416GHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 60mA Enable/Disable | ASG-P-V-B-1.24416GHZ-T.pdf | |
 | CB2012T4R7M | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 580mA 520 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | CB2012T4R7M.pdf | |
 | ERJ-6ENF2202V | RES SMD 22K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF2202V.pdf | |
 | 1N1436R | 1N1436R MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N1436R.pdf | |
| MAX6313UK48D4+T | MAX6313UK48D4+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6313UK48D4+T.pdf | |
| CD75 180 M | CD75 180 M TASUND SMD or Through Hole | CD75 180 M.pdf | |
| M5105AZ | M5105AZ ORIGINAL SMD or Through Hole | M5105AZ.pdf | |
| 215RNA(RX480-200P) | 215RNA(RX480-200P) ATI BGA | 215RNA(RX480-200P).pdf | |
| FDC796P | FDC796P FAIROHILD SOT-163 | FDC796P.pdf | |
| MAX1490EPG | MAX1490EPG MAXIM DIP | MAX1490EPG.pdf | |
| PFB450H | PFB450H MUR CERAMIC-FILTER | PFB450H.pdf |