Infineon Technologies BSD314SPEL6327HTSA1

BSD314SPEL6327HTSA1
제조업체 부품 번호
BSD314SPEL6327HTSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
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내부 부품 번호EIS-BSD314SPEL6327HTSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSD314SPE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs140m옴 @ 1.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 6.3µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.9nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds294pF @ 15V
전력 - 최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지PG-SOT363-6
표준 포장 3,000
다른 이름BSD314SPE L6327
BSD314SPE L6327-ND
BSD314SPE L6327TR-ND
BSD314SPEL6327
SP000473008
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSD314SPEL6327HTSA1
관련 링크BSD314SPEL6, BSD314SPEL6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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RECT BRIDGE GPP 10A 400V GBU GBU1004.pdf
RES SMD 100K OHM 1% 1/4W 1206 KTR18EZPF1003.pdf
RES SMD 249K OHM 0.1% 0.4W 1206 PAT1206E2493BST1.pdf
HM106M-LF FEC SMD HM106M-LF.pdf
TC220EA701EF TC QFP TC220EA701EF.pdf
2009J3C TRW DIP 2009J3C.pdf
LX8117-33CST-TR. MIC SOT-223 LX8117-33CST-TR..pdf
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MAX1846EUR MAXIM MSOP10 MAX1846EUR.pdf
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