창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC360N15NS3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC360N15NS3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 45µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC360N15NS3 G BSC360N15NS3 G-ND BSC360N15NS3 GTR-ND BSC360N15NS3G SP000778134 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC360N15NS3GATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC360N15N, BSC360N15NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RC0805FR-07154KL | RES SMD 154K OHM 1% 1/8W 0805 | RC0805FR-07154KL.pdf | |
![]() | CMF552K8000FKEK | RES 2.8K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K8000FKEK.pdf | |
![]() | ICS932S208BDG | ICS932S208BDG ICS TSSOP56 | ICS932S208BDG.pdf | |
![]() | 80LSQ18000M51X83 | 80LSQ18000M51X83 RUBYCON DIP | 80LSQ18000M51X83.pdf | |
![]() | TRR1A05S00D-R-C | TRR1A05S00D-R-C TTI SMD or Through Hole | TRR1A05S00D-R-C.pdf | |
![]() | 4700006 | 4700006 TUSONIX SMD or Through Hole | 4700006.pdf | |
![]() | 71011-004-9233 | 71011-004-9233 NOVA SMD or Through Hole | 71011-004-9233.pdf | |
![]() | GM3116BC | GM3116BC GENESIS MQFP2828 | GM3116BC.pdf | |
![]() | 235008210102- | 235008210102- NA SMD | 235008210102-.pdf | |
![]() | RT0402BRB07105RL | RT0402BRB07105RL YAGEO SMD | RT0402BRB07105RL.pdf | |
![]() | G30E-0A | G30E-0A MARVEL QFN | G30E-0A.pdf |