창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC360N15NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC360N15NS3 G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 45µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC360N15NS3 G BSC360N15NS3 G-ND BSC360N15NS3 GTR-ND BSC360N15NS3G SP000778134 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC360N15NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC360N15N, BSC360N15NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 187LMH400MZBE | ELECTROLYTIC | 187LMH400MZBE.pdf | |
![]() | BCM2035-LCSP | BCM2035-LCSP BROADC BGA | BCM2035-LCSP.pdf | |
![]() | VI-J70-CT | VI-J70-CT VICOR DIP | VI-J70-CT.pdf | |
![]() | TD2716M-40 | TD2716M-40 INTEL/REI DIP | TD2716M-40.pdf | |
![]() | CS9111J | CS9111J ALL/ DIP14 | CS9111J.pdf | |
![]() | D256AETA-5B-E | D256AETA-5B-E ELPIDA TSOP | D256AETA-5B-E.pdf | |
![]() | PTS14/8-3C81-A160 | PTS14/8-3C81-A160 FERROX SMD or Through Hole | PTS14/8-3C81-A160.pdf | |
![]() | BA5814F-E2 | BA5814F-E2 ROHM SOP | BA5814F-E2.pdf | |
![]() | W14NB50 | W14NB50 ST TO-247 | W14NB50.pdf | |
![]() | D23C2000G-822 | D23C2000G-822 NEC QFP | D23C2000G-822.pdf | |
![]() | ERJ2GEG914X | ERJ2GEG914X PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ2GEG914X.pdf | |
![]() | 5962-9563301QPA | 5962-9563301QPA TI DIP | 5962-9563301QPA.pdf |