Infineon Technologies BSC22DN20NS3 G
- 제조업체 부품 번호
- BSC22DN20NS3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
BSC22DN20NS3 G 가격 및 조달
가능 수량
18550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 455.90688
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 BSC22DN20NS3 G 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSC22DN20NS3 G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSC22DN20NS3 G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- BSC22DN20NS3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSC22DN20NS3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC22DN20NS3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC22DN20NS3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 225m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 13µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC22DN20NS3 G-ND BSC22DN20NS3G BSC22DN20NS3GATMA1 SP000781778 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC22DN20NS3 G | |
| 관련 링크 | BSC22DN2, BSC22DN20NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
BSC22DN20NS3 G 의 관련 제품
 | C911U620JZSDCAWL45 | 62pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U620JZSDCAWL45.pdf | |
 | 416F30011ASR | 30MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30011ASR.pdf | |
 | SIT9120AI-1D3-33E200.000000X | 200MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 69mA Enable/Disable | SIT9120AI-1D3-33E200.000000X.pdf | |
 | VLF504010MT-150M | 15µH Shielded Wirewound Inductor 980mA 400 mOhm Max Nonstandard | VLF504010MT-150M.pdf | |
| TA1K0PH42R0KE | RES CHAS MNT 42 OHM 10% 1000W | TA1K0PH42R0KE.pdf | |
| 42669 | 42669 DIODES SMD or Through Hole | 42669.pdf | |
| MT8870DCE | MT8870DCE MITEL DIP | MT8870DCE.pdf | |
| ICX279AKA | ICX279AKA SONY DIP | ICX279AKA.pdf | |
| LM2931ACD2TR4 | LM2931ACD2TR4 ON SOT263-5 | LM2931ACD2TR4.pdf | |
| UC382TD-ADJ | UC382TD-ADJ TI SOT223-3 | UC382TD-ADJ.pdf | |
| TLE4266-2G | TLE4266-2G ORIGINAL SOT-223 | TLE4266-2G .pdf |