창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC22DN20NS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC22DN20NS3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 225m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 13µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC22DN20NS3 G-ND BSC22DN20NS3G BSC22DN20NS3GATMA1 SP000781778 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC22DN20NS3 G | |
관련 링크 | BSC22DN2, BSC22DN20NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ACH-32.768MHZ-EK | 32.768MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 45mA Enable/Disable | ACH-32.768MHZ-EK.pdf | |
![]() | F30J5R0 | RES CHAS MNT 5 OHM 5% 30W | F30J5R0.pdf | |
![]() | RSF2FT90R9 | RES MO 2W 90.9 OHM 1% AXIAL | RSF2FT90R9.pdf | |
![]() | LC4512V-35T176-5I | LC4512V-35T176-5I Lattice TQFP176 | LC4512V-35T176-5I.pdf | |
![]() | 50C30F | 50C30F ORIGINAL QFP | 50C30F.pdf | |
![]() | CSTCV20M00 | CSTCV20M00 MURATA SMD | CSTCV20M00.pdf | |
![]() | RVG4H01-101VM-TC 4X4 100R | RVG4H01-101VM-TC 4X4 100R MURATA SMD or Through Hole | RVG4H01-101VM-TC 4X4 100R.pdf | |
![]() | CY62138FV30LL-45SXI | CY62138FV30LL-45SXI CYPRESS SMD or Through Hole | CY62138FV30LL-45SXI.pdf | |
![]() | TLP5627 | TLP5627 TOSHIBA SOP | TLP5627.pdf | |
![]() | INV-BR07075-OEE-I | INV-BR07075-OEE-I Micrel SC70 | INV-BR07075-OEE-I.pdf | |
![]() | TD52604F | TD52604F ORIGINAL SOP | TD52604F.pdf |