Infineon Technologies BSC196N10NSGATMA1

BSC196N10NSGATMA1
제조업체 부품 번호
BSC196N10NSGATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
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내부 부품 번호EIS-BSC196N10NSGATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSC196N10NS G
PCN 조립/원산지Assembly Site Add 20/Jun/2016
Assembly Site Update 26/Jul/2016
PCN 기타Multiple Changes 09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.5A(Ta), 45A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs19.6m옴 @ 45A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 42µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs34nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2300pF @ 50V
전력 - 최대78W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8
표준 포장 5,000
다른 이름BSC196N10NS G
BSC196N10NS G-ND
BSC196N10NS GTR-ND
BSC196N10NSG
SP000379604
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSC196N10NSGATMA1
관련 링크BSC196N10N, BSC196N10NSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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