창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC160N10NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC160N10NS3 G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.8A(Ta), 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 33µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC160N10NS3 G BSC160N10NS3 G-ND BSC160N10NS3 GINTR-ND BSC160N10NS3G SP000482382 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC160N10NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC160N10N, BSC160N10NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 62-PML-050-3-11 | EMI FILTER | 62-PML-050-3-11.pdf | |
![]() | RC0603JR-074M3L | RES SMD 4.3M OHM 5% 1/10W 0603 | RC0603JR-074M3L.pdf | |
![]() | Y0029100R000T1L | RES 100 OHM 2/3W 0.01% AXIAL | Y0029100R000T1L.pdf | |
![]() | E09-15 | E09-15 FUJI TO-3P | E09-15.pdf | |
![]() | HM2262A | HM2262A HME DIP-18 | HM2262A.pdf | |
![]() | A6R-101RF | A6R-101RF ORIGINAL SMD or Through Hole | A6R-101RF.pdf | |
![]() | MN1873265T8C | MN1873265T8C PANASONI DIP | MN1873265T8C.pdf | |
![]() | BM10B-PASS-TFT(LF)(SN) | BM10B-PASS-TFT(LF)(SN) JST SMD-connectors | BM10B-PASS-TFT(LF)(SN).pdf | |
![]() | AAT3120ITP- | AAT3120ITP- ANALOGIC SMD or Through Hole | AAT3120ITP-.pdf | |
![]() | GDS-2064 | GDS-2064 GW Instek SMD or Through Hole | GDS-2064.pdf | |
![]() | 5185941F53 | 5185941F53 TI BGA | 5185941F53.pdf |