창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC12DN20NS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC12DN20NS3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 5.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC12DN20NS3G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GTR SP000781774 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC12DN20NS3 G | |
관련 링크 | BSC12DN2, BSC12DN20NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | V320LT40BPX2855 | VARISTOR 501V 6.5KA DISC 20MM | V320LT40BPX2855.pdf | |
![]() | G3PE-215B-DC12-24 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) SSR with Integrated Heat Sink | G3PE-215B-DC12-24.pdf | |
![]() | E2EQ-X7D1-M1J 0.3M | Inductive Proximity Sensor 0.276" (7mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2EQ-X7D1-M1J 0.3M.pdf | |
![]() | 56280-L-C | 56280-L-C ORIGINAL SMD or Through Hole | 56280-L-C.pdf | |
![]() | CXT3904TRPB-FREE | CXT3904TRPB-FREE CentralSemi SMD or Through Hole | CXT3904TRPB-FREE.pdf | |
![]() | ACL3225S-R18K | ACL3225S-R18K TDK SMD or Through Hole | ACL3225S-R18K.pdf | |
![]() | ECA2AM101B | ECA2AM101B PANASONIC Call | ECA2AM101B.pdf | |
![]() | MT2363-G-A | MT2363-G-A TOSHIBA ROHS | MT2363-G-A.pdf | |
![]() | BPW82L | BPW82L VISHAY SIDE-DIP-2 | BPW82L.pdf | |
![]() | DRS-220 | DRS-220 SAMSUNG ROHS | DRS-220.pdf |