창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC123N10LSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC123N10LS G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.6A(Ta), 71A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.3m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 72µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 114W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC123N10LS G BSC123N10LS G-ND BSC123N10LS GTR BSC123N10LS GTR-ND SP000379612 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC123N10LSGATMA1 | |
관련 링크 | BSC123N10L, BSC123N10LSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CC1206KRNPO0BN471 | 470pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206KRNPO0BN471.pdf | ||
6278891-8 | 6278891-8 GENTRON SOP8 | 6278891-8.pdf | ||
EFL-250ELL101ME15D | EFL-250ELL101ME15D NIPPONCHEMI-CON DIP-2 | EFL-250ELL101ME15D.pdf | ||
3DA816C | 3DA816C ORIGINAL H-2EA | 3DA816C.pdf | ||
AMM2288A=TDA7073A | AMM2288A=TDA7073A AMTEK QFP | AMM2288A=TDA7073A.pdf | ||
VR37000001203FA100 | VR37000001203FA100 VISHAY SMD or Through Hole | VR37000001203FA100.pdf | ||
AD9634BCPZG4-REEL7 | AD9634BCPZG4-REEL7 AD Original | AD9634BCPZG4-REEL7.pdf | ||
NL322522T-470K-N | NL322522T-470K-N ORIGINAL SMD or Through Hole | NL322522T-470K-N.pdf | ||
MMBZ5246B-V-GS08 | MMBZ5246B-V-GS08 VISHAY ROHS | MMBZ5246B-V-GS08.pdf | ||
EL5193ACWZ-T7TR | EL5193ACWZ-T7TR INTERSIL SMD or Through Hole | EL5193ACWZ-T7TR.pdf | ||
LT1062MJ | LT1062MJ LINEAR DIP | LT1062MJ.pdf |