창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC123N08NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC123N08NS3 G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 55A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.3m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 33µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1870pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 66W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC123N08NS3 G BSC123N08NS3 G-ND BSC123N08NS3 GTR BSC123N08NS3 GTR-ND BSC123N08NS3G SP000443916 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC123N08NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC123N08N, BSC123N08NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | S2025C-15 | S2025C-15 AMCC QFP | S2025C-15.pdf | |
![]() | MF078 | MF078 ORIGINAL DIP | MF078.pdf | |
![]() | NT6881-01007 | NT6881-01007 ORIGINAL DIP | NT6881-01007.pdf | |
![]() | M28W160T120 | M28W160T120 ST SMD or Through Hole | M28W160T120.pdf | |
![]() | 2007538-4 | 2007538-4 TYCO SMD or Through Hole | 2007538-4.pdf | |
![]() | XC4010-5PG191B 5962-9230503MXC | XC4010-5PG191B 5962-9230503MXC N/A PGA | XC4010-5PG191B 5962-9230503MXC.pdf | |
![]() | EDI88128C100CC | EDI88128C100CC ORIGINAL DIP | EDI88128C100CC.pdf | |
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![]() | DF12D/3.0/-30DP-0.5V/80 | DF12D/3.0/-30DP-0.5V/80 HIROSE SMD or Through Hole | DF12D/3.0/-30DP-0.5V/80.pdf | |
![]() | 1PS75SB45,135 | 1PS75SB45,135 NXP SOT416 | 1PS75SB45,135.pdf |