창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC120N03LSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC120N03LS G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 39A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC120N03LS G BSC120N03LSG BSC120N03LSGINTR BSC120N03LSGINTR-ND BSC120N03LSGXT SP000302848 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC120N03LSGATMA1 | |
관련 링크 | BSC120N03L, BSC120N03LSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 500MMT | FUSE CRTRDGE 500A 690VAC/500VDC | 500MMT.pdf | |
![]() | FAJF6812 | FAJF6812 FAIRC TO-3PF | FAJF6812.pdf | |
![]() | TNETD4250GJI | TNETD4250GJI AD BGA | TNETD4250GJI.pdf | |
![]() | 2.1....2.5 | 2.1....2.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2.1....2.5.pdf | |
![]() | AD7892AB-1 | AD7892AB-1 AD SOP | AD7892AB-1.pdf | |
![]() | D2528 | D2528 ORIGINAL TO220F | D2528.pdf | |
![]() | 250UK4R7 | 250UK4R7 AVAGO SMD or Through Hole | 250UK4R7.pdf | |
![]() | BCW60C,215 | BCW60C,215 NXP SOT23 | BCW60C,215.pdf | |
![]() | 304970539 | 304970539 ORIGINAL SMD or Through Hole | 304970539.pdf | |
![]() | 2SD2396,D23 | 2SD2396,D23 ROHM SMD or Through Hole | 2SD2396,D23.pdf | |
![]() | SFH6345-E9277 | SFH6345-E9277 SIEMENS DIP-8 | SFH6345-E9277.pdf | |
![]() | BA4560-- | BA4560-- ROHM SMD or Through Hole | BA4560--.pdf |