창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC118N10NSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC118N10NS G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 71A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3700pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 114W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC118N10NS G BSC118N10NS G-ND SP000379599 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC118N10NSGATMA1 | |
관련 링크 | BSC118N10N, BSC118N10NSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ECS-42-16-4 | 4.194304MHz ±30ppm 수정 16pF 150옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-42-16-4.pdf | |
![]() | CRGV1206F549K | RES SMD 549K OHM 1% 1/4W 1206 | CRGV1206F549K.pdf | |
![]() | AC03000001007JAC00 | RES 0.1 OHM 3W 5% AXIAL | AC03000001007JAC00.pdf | |
![]() | LTC6652BHMS8-1 | LTC6652BHMS8-1 LT SMD or Through Hole | LTC6652BHMS8-1.pdf | |
![]() | l1A7857/WC51413 | l1A7857/WC51413 TI PLCC20 | l1A7857/WC51413.pdf | |
![]() | LG7 | LG7 VISHAY SMB | LG7.pdf | |
![]() | TPSW476K016S0200 | TPSW476K016S0200 AVX SMD or Through Hole | TPSW476K016S0200.pdf | |
![]() | HC574D | HC574D PHI SMD or Through Hole | HC574D.pdf | |
![]() | SR630 | SR630 JF SMD or Through Hole | SR630.pdf | |
![]() | ADS-30266 | ADS-30266 DATEL DIP | ADS-30266.pdf | |
![]() | MC-5265 | MC-5265 NEC SMD or Through Hole | MC-5265.pdf | |
![]() | RQ-125D | RQ-125D MEAN WELL SMD or Through Hole | RQ-125D.pdf |