창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC109N10NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC109N10NS3 G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 63A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.9m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 45µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC109N10NS3 G BSC109N10NS3 G-ND BSC109N10NS3 GTR-ND BSC109N10NS3G SP000778132 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC109N10NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC109N10N, BSC109N10NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
5AT330MEFCI | 33pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | 5AT330MEFCI.pdf | ||
V250LC40APX10 | VARISTOR 390V 6.5KA DISC 20MM | V250LC40APX10.pdf | ||
0805J390R | 0805J390R CHIP SMD or Through Hole | 0805J390R.pdf | ||
KIA7805AFRTF | KIA7805AFRTF KEC TO-252 | KIA7805AFRTF.pdf | ||
QEC452-2405182 | QEC452-2405182 QLOGIC BGA | QEC452-2405182.pdf | ||
MU3261-202Y | MU3261-202Y BOURNS Inductors | MU3261-202Y.pdf | ||
CY7C291-50DMB1 | CY7C291-50DMB1 IDT CDIP28 | CY7C291-50DMB1.pdf | ||
10631053 | 10631053 MOLEX Original Package | 10631053.pdf | ||
DS92LV040AT | DS92LV040AT NSC SMD or Through Hole | DS92LV040AT.pdf | ||
BA613N | BA613N ROHM SMD or Through Hole | BA613N.pdf | ||
HDC200A | HDC200A LECROY CDIP | HDC200A.pdf |