창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC105N10LSFGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC105N10LSF G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.4A(Ta), 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 110µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC105N10LSF G BSC105N10LSF G-ND SP000388502 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC105N10LSFGATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC105N10L, BSC105N10LSFGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | TPSD336M020R0200 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 200 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSD336M020R0200.pdf | |
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![]() | 62F22-01-120C-L | OPTICAL ENCODER | 62F22-01-120C-L.pdf | |
![]() | HEL776-A-U-1 | HEL776-A-U-1 FREESCAL SMD or Through Hole | HEL776-A-U-1.pdf | |
![]() | ENGMM3Z6V2TUT3-4 | ENGMM3Z6V2TUT3-4 ON 0805-6.2V | ENGMM3Z6V2TUT3-4.pdf | |
![]() | ST9556A | ST9556A ST ZIP | ST9556A.pdf | |
![]() | MCH3309-E-PE84LR | MCH3309-E-PE84LR ORIGINAL smd | MCH3309-E-PE84LR.pdf | |
![]() | 833-1C-F-C-24V | 833-1C-F-C-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | 833-1C-F-C-24V.pdf | |
![]() | ASCX01DN | ASCX01DN HONEYWELL PressureSensor | ASCX01DN.pdf | |
![]() | 1206 X5R 185 M 160NT | 1206 X5R 185 M 160NT TASUND SMD or Through Hole | 1206 X5R 185 M 160NT.pdf |