창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC0904NSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC0904NSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 78A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3,7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 37W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC0904NSI-ND BSC0904NSIATMA1 SP000854384 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC0904NSI | |
관련 링크 | BSC090, BSC0904NSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ1206A121JXACW1BC | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206A121JXACW1BC.pdf | |
![]() | VJ1210A510JBRAT4X | 51pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A510JBRAT4X.pdf | |
![]() | SDP15U20DN | SDP15U20DN FAIRCHILD TO-220 | SDP15U20DN.pdf | |
![]() | DT28F016S5-85 | DT28F016S5-85 INTEL SSOP56 | DT28F016S5-85.pdf | |
![]() | PIC16C712-20E | PIC16C712-20E MIC SSOP20 | PIC16C712-20E.pdf | |
![]() | T9926-0000 | T9926-0000 ORIGINAL 9532 | T9926-0000.pdf | |
![]() | MN151630SB1 | MN151630SB1 PANASONIC QFP | MN151630SB1.pdf | |
![]() | MPX5010G | MPX5010G FREESCALE SMD or Through Hole | MPX5010G.pdf | |
![]() | RK73B2BTTDJ | RK73B2BTTDJ KOA SMD or Through Hole | RK73B2BTTDJ.pdf | |
![]() | TPSMB10A-E3/52 | TPSMB10A-E3/52 VISHAY SMD or Through Hole | TPSMB10A-E3/52.pdf | |
![]() | HDMP-1636G | HDMP-1636G AGILENT QFP-64 | HDMP-1636G.pdf | |
![]() | 416R | 416R ORIGINAL SMD or Through Hole | 416R.pdf |