창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC0901NS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC0901NS | |
| PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 69W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC0901NSATMA1 BSC0901NSTR SP000800248 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC0901NS | |
| 관련 링크 | BSC09, BSC0901NS 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | CDV30FJ241GO3 | MICA | CDV30FJ241GO3.pdf | |
![]() | ARE10A06 | RELAY RF 1 FORM C 6V | ARE10A06.pdf | |
![]() | ATT-0218-15-NNN-02 | RF Attenuator 15dB ±0.5dB 0Hz ~ 12.4GHz 50 Ohm 2W N-Type In-Line Module | ATT-0218-15-NNN-02.pdf | |
![]() | 29371AACA | 29371AACA ALLEGRO CDIP | 29371AACA.pdf | |
![]() | MC3432L | MC3432L ON/MOT CDIP16 | MC3432L.pdf | |
![]() | A72544-2 | A72544-2 ORIGINAL CDIP | A72544-2.pdf | |
![]() | HSMS-282P-TR1 | HSMS-282P-TR1 Agilent SOT-363 | HSMS-282P-TR1.pdf | |
![]() | LFEC3E-4TN144I | LFEC3E-4TN144I Lattice QFP144 | LFEC3E-4TN144I.pdf | |
![]() | 3L2A471JT2 | 3L2A471JT2 TAITSU SMD or Through Hole | 3L2A471JT2.pdf | |
![]() | RD5.6P-T1(5.6V/89) | RD5.6P-T1(5.6V/89) NEC SOT89 | RD5.6P-T1(5.6V/89).pdf |