창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC084P03NS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC084P03NS3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.9A(Ta), 78.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 105µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4785pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC084P03NS3 G-ND BSC084P03NS3G BSC084P03NS3GATMA1 SP000473020 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC084P03NS3 G | |
관련 링크 | BSC084P0, BSC084P03NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | T356D186K006AS | T356D186K006AS KEMET DIP | T356D186K006AS.pdf | |
![]() | LG631 9E | LG631 9E SANYO DIP64 | LG631 9E.pdf | |
![]() | SST29EE020-120-4C-NH, | SST29EE020-120-4C-NH, SST SMD or Through Hole | SST29EE020-120-4C-NH,.pdf | |
![]() | T262C276K020MS | T262C276K020MS KEMET SMD or Through Hole | T262C276K020MS.pdf | |
![]() | D45188C | D45188C NEC DIP16 | D45188C.pdf | |
![]() | 1206 63V 1 1/2A 1.5A | 1206 63V 1 1/2A 1.5A ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206 63V 1 1/2A 1.5A.pdf | |
![]() | MB81C1000A70P | MB81C1000A70P FUJ PDIP | MB81C1000A70P.pdf | |
![]() | MAX6805US44D3-T | MAX6805US44D3-T MAXIM SOT143 | MAX6805US44D3-T.pdf | |
![]() | TLV71210DBVT | TLV71210DBVT ORIGINAL SMD or Through Hole | TLV71210DBVT.pdf | |
![]() | STM32F101VBT6.. | STM32F101VBT6.. ST LQFP100 | STM32F101VBT6...pdf | |
![]() | SDCL1005CR10JT(F) | SDCL1005CR10JT(F) WELL SMD or Through Hole | SDCL1005CR10JT(F).pdf | |
![]() | AHA336M50E16T | AHA336M50E16T CornellDub NA | AHA336M50E16T.pdf |