창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC080P03LS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC080P03LS G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 122.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6140pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC080P03LS G-ND BSC080P03LS GTR BSC080P03LSG BSC080P03LSGAUMA1 SP000359664 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC080P03LS G | |
관련 링크 | BSC080P, BSC080P03LS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | VJ1808A150KBLAT4X | 15pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A150KBLAT4X.pdf | |
![]() | 2036-15-B2LF | GDT 150V 20% 10KA THROUGH HOLE | 2036-15-B2LF.pdf | |
![]() | XRCGB27M120F3A00R0 | 27.12MHz ±35ppm 수정 6pF 80옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB27M120F3A00R0.pdf | |
![]() | 8Q-37.400MAAV-T | 37.4MHz ±30ppm 수정 8pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Q-37.400MAAV-T.pdf | |
![]() | B82144B1824J | 820µH Unshielded Wirewound Inductor 310mA 3.7 Ohm Max Radial | B82144B1824J.pdf | |
![]() | TC124-FR-07820KL | RES ARRAY 4 RES 820K OHM 0804 | TC124-FR-07820KL.pdf | |
![]() | H8180KFDA | RES 180K OHM 1/4W 1% AXIAL | H8180KFDA.pdf | |
![]() | TAA762M | TAA762M THOMSON CAN6 | TAA762M.pdf | |
![]() | 2SC3583(R33/R34/R35) | 2SC3583(R33/R34/R35) NEC SOT-23 | 2SC3583(R33/R34/R35).pdf | |
![]() | GXO753180.0MHZ | GXO753180.0MHZ GOLLEDGE SMD or Through Hole | GXO753180.0MHZ.pdf | |
![]() | SP4491BU | SP4491BU SP SOP | SP4491BU.pdf |