창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC080P03LS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC080P03LS G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 122.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6140pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC080P03LS G-ND BSC080P03LS GTR BSC080P03LSG BSC080P03LSGAUMA1 SP000359664 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC080P03LS G | |
관련 링크 | BSC080P, BSC080P03LS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | DLR1S47K-F | 0.047µF Film Capacitor 63V 100V Polyester Radial 0.374" L x 0.197" W (9.50mm x 5.00mm) | DLR1S47K-F.pdf | |
![]() | 9C04600001 | 4.608MHz ±20ppm 수정 32pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C04600001.pdf | |
![]() | 4203-050LF | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 5000pF 10A Axial, Bushing | 4203-050LF.pdf | |
![]() | ERJ-14BQJ5R1U | RES SMD 5.1 OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-14BQJ5R1U.pdf | |
![]() | AT25DF161-SH | AT25DF161-SH ATMEL SOP | AT25DF161-SH.pdf | |
![]() | 940-DS/14 | 940-DS/14 WECO SMD or Through Hole | 940-DS/14.pdf | |
![]() | SN74LVC2G66DCUT | SN74LVC2G66DCUT TI US8 | SN74LVC2G66DCUT.pdf | |
![]() | ATI82443 | ATI82443 ATI BGA | ATI82443.pdf | |
![]() | IXTP4N60AA | IXTP4N60AA IXY SMD or Through Hole | IXTP4N60AA.pdf | |
![]() | MCP6032ISN | MCP6032ISN MICROCHIP SOP8 | MCP6032ISN.pdf | |
![]() | SN0176IP | SN0176IP ORIGINAL DIP8 | SN0176IP.pdf | |
![]() | 2SC4912 T106P SOT323-BNP | 2SC4912 T106P SOT323-BNP ROHM SMD or Through Hole | 2SC4912 T106P SOT323-BNP.pdf |