창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC077N12NS3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC077N12NS3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.4A(Ta), 98A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 110µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 60V | |
| 전력 - 최대 | 139W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC077N12NS3 G BSC077N12NS3 G-ND BSC077N12NS3 GTR BSC077N12NS3 GTR-ND BSC077N12NS3G SP000652750 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC077N12NS3GATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC077N12N, BSC077N12NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW04025R10FKTD | RES SMD 5.1 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04025R10FKTD.pdf | |
![]() | RFDIP1608060L3T | RF Diplexor 2.4GHz ~ 2.5GHz / 4.9GHz ~ 5.9GHz 0603 (1608 Metric), 6 PC Pad | RFDIP1608060L3T.pdf | |
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![]() | 2N445A | 2N445A ORIGINAL CAN | 2N445A.pdf | |
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![]() | PH1214-120M | PH1214-120M PHI SMD or Through Hole | PH1214-120M.pdf | |
![]() | NTC202 | NTC202 ORIGINAL DO-35 | NTC202.pdf | |
![]() | 54253/BCAJC | 54253/BCAJC TI DIP | 54253/BCAJC.pdf | |
![]() | SMBJ58CA(NC) | SMBJ58CA(NC) FSC SMB | SMBJ58CA(NC).pdf | |
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