창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC070N10NS5ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC070N10NS5 | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
PCN 설계/사양 | Part Marking Update 14/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC070N10NS5ATMA1TR SP001241596 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC070N10NS5ATMA1 | |
관련 링크 | BSC070N10N, BSC070N10NS5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | VJ0805D120FXAAP | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D120FXAAP.pdf | |
![]() | PG0936.851NL | 850nH Unshielded Wirewound Inductor 40A 0.87 mOhm Max Nonstandard | PG0936.851NL.pdf | |
![]() | ERJ-B2AJ824V | RES SMD 820K OHM 3/4W 1206 WIDE | ERJ-B2AJ824V.pdf | |
![]() | RT0402BRD07182RL | RES SMD 182 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRD07182RL.pdf | |
![]() | AM9218CPC | AM9218CPC AMD DIP-24 | AM9218CPC.pdf | |
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![]() | HC55121IM | HC55121IM INTERSIL PLCC-28 | HC55121IM.pdf | |
![]() | 82-40-43 | 82-40-43 weinschel SMD or Through Hole | 82-40-43.pdf | |
![]() | 3EC21QS03L | 3EC21QS03L Nihon 1808 | 3EC21QS03L.pdf | |
![]() | 4N35S1TA-V | 4N35S1TA-V EVERLIG SMD or Through Hole | 4N35S1TA-V.pdf | |
![]() | HP32P122MCYPF | HP32P122MCYPF HITACHI DIP | HP32P122MCYPF.pdf |