창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC060N10NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC060N10NS3 G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.9A(Ta), 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC060N10NS3 G BSC060N10NS3 G-ND BSC060N10NS3 GTR BSC060N10NS3 GTR-ND BSC060N10NS3G SP000446584 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC060N10NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC060N10N, BSC060N10NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 100RX3022M8X11.5 | 22µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 130°C | 100RX3022M8X11.5.pdf | |
![]() | AD7199KS | AD7199KS AD QFP | AD7199KS.pdf | |
![]() | WLC06144Y | WLC06144Y IOMEGA SMD or Through Hole | WLC06144Y.pdf | |
![]() | NJU-7004D | NJU-7004D NJU DIP | NJU-7004D.pdf | |
![]() | M6654A-640 | M6654A-640 NSC NULL | M6654A-640.pdf | |
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![]() | 80C31* | 80C31* INTEL SMD or Through Hole | 80C31*.pdf | |
![]() | 2SB511D | 2SB511D TOSHIBA DIP | 2SB511D.pdf | |
![]() | AP3R604AGH-HF | AP3R604AGH-HF APEC SMD or Through Hole | AP3R604AGH-HF.pdf |