창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC052N03LS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC052N03LS | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 57A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 28W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC052N03LS-ND BSC052N03LSATMA1 SP000807602 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC052N03LS | |
관련 링크 | BSC052, BSC052N03LS 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SA105C822KAA | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA105C822KAA.pdf | ||
THS119F | THS119F ORIGINAL 3-pinSIP | THS119F.pdf | ||
TZMF10GS05 | TZMF10GS05 ORIGINAL SMD or Through Hole | TZMF10GS05.pdf | ||
K7K1636U2C-EC40000 | K7K1636U2C-EC40000 SAMSUNG BGA | K7K1636U2C-EC40000.pdf | ||
ADM6315-39D1ART-RL7 | ADM6315-39D1ART-RL7 AD SOT-143 | ADM6315-39D1ART-RL7.pdf | ||
MLR10002 | MLR10002 CPCLARE SMD or Through Hole | MLR10002.pdf | ||
0231-00V1.0AC | 0231-00V1.0AC SIEMENS MQFP44 | 0231-00V1.0AC.pdf | ||
SC370677EN | SC370677EN ORIGINAL PLCC28 | SC370677EN.pdf | ||
541021603 | 541021603 MOLEX SMD | 541021603.pdf | ||
3K3 | 3K3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3K3.pdf | ||
WS15020102BLONEDT10 | WS15020102BLONEDT10 PHOTONIC SMD or Through Hole | WS15020102BLONEDT10.pdf | ||
BD5340G | BD5340G ROHM SMD or Through Hole | BD5340G.pdf |