창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC042N03ST | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP000014715 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 62.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC042N03ST | |
관련 링크 | BSC042, BSC042N03ST 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | S680J29SL0N6TJ5R | 68pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | S680J29SL0N6TJ5R.pdf | |
![]() | BT136X-600,127 | TRIAC 600V 4A TO220-3 | BT136X-600,127.pdf | |
![]() | 3635B1R0PT | 1µH Shielded Wirewound Inductor 23A 3.4 mOhm Max Nonstandard | 3635B1R0PT.pdf | |
![]() | AT1206BRD07953KL | RES SMD 953K OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD07953KL.pdf | |
![]() | Si3863BDV-T1-GE3 | Si3863BDV-T1-GE3 VISHAY SMD or Through Hole | Si3863BDV-T1-GE3.pdf | |
![]() | MSP4440K-QA-D6 | MSP4440K-QA-D6 MICRONAS QFP-64 | MSP4440K-QA-D6.pdf | |
![]() | S-8750BOEUP-AJI-T2 | S-8750BOEUP-AJI-T2 SEIKO SOT-89 | S-8750BOEUP-AJI-T2.pdf | |
![]() | HUL6203S01KU+ | HUL6203S01KU+ PANASONIC SOP16 | HUL6203S01KU+.pdf | |
![]() | SP31101 | SP31101 ORIGINAL SMD or Through Hole | SP31101.pdf | |
![]() | HB100169A0 | HB100169A0 GVG SMD or Through Hole | HB100169A0.pdf | |
![]() | MAX9761EUI-T | MAX9761EUI-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX9761EUI-T.pdf | |
![]() | 670AGP07 | 670AGP07 MRT SMD or Through Hole | 670AGP07.pdf |