창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC032N04LSATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC032N04LS | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta), 98A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001067018 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC032N04LSATMA1 | |
관련 링크 | BSC032N04, BSC032N04LSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 885012109005 | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 885012109005.pdf | |
![]() | VJ0805D431KXBAJ | 430pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D431KXBAJ.pdf | |
![]() | VSSR1603511GUF | RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP | VSSR1603511GUF.pdf | |
![]() | AML0603Q5N6ST | AML0603Q5N6ST FDK SMD or Through Hole | AML0603Q5N6ST.pdf | |
![]() | R75IN3820AA40K | R75IN3820AA40K Arcotronics DIP-2 | R75IN3820AA40K.pdf | |
![]() | AAT3216IGV- | AAT3216IGV- ORIGINAL SMD or Through Hole | AAT3216IGV-.pdf | |
![]() | CTT430GK18PT | CTT430GK18PT CATELEC SMD or Through Hole | CTT430GK18PT.pdf | |
![]() | 223892213676 | 223892213676 YAGEO SMD | 223892213676.pdf | |
![]() | LSDDM-HCTDRV9-01 | LSDDM-HCTDRV9-01 LSD SMD or Through Hole | LSDDM-HCTDRV9-01.pdf | |
![]() | MAX3209UECUU | MAX3209UECUU MAIXM SMD or Through Hole | MAX3209UECUU.pdf | |
![]() | G9117-1.8 | G9117-1.8 TI TO223-4 | G9117-1.8.pdf | |
![]() | STA464 | STA464 SK ZIP | STA464.pdf |