창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC026N08NS5ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC026N08NS5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 115µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001154276 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC026N08NS5ATMA1 | |
관련 링크 | BSC026N08N, BSC026N08NS5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
BZT03C130-TR | TVS DIODE 110VWM 185VC SOD57 | BZT03C130-TR.pdf | ||
LY2-AC24 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 24VAC Coil Socketable | LY2-AC24.pdf | ||
2900348 | TERM BLOCK | 2900348.pdf | ||
RG1005N-331-B-T5 | RES SMD 330 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-331-B-T5.pdf | ||
H876K8BDA | RES 76.8K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H876K8BDA.pdf | ||
AXK844145 | AXK844145 PANAS AXK844145WG | AXK844145.pdf | ||
01M1002SFC3 | 01M1002SFC3 BCC SMD or Through Hole | 01M1002SFC3.pdf | ||
SG104 | SG104 KODENSHI CLCC | SG104.pdf | ||
KS20838L2 | KS20838L2 MOT TO-66 | KS20838L2.pdf | ||
PUMH11TR | PUMH11TR NXP SMD or Through Hole | PUMH11TR.pdf | ||
HCPL-181-000 | HCPL-181-000 AVAGO SMD or Through Hole | HCPL-181-000.pdf | ||
FQI3N25 | FQI3N25 FSC TO-262 | FQI3N25.pdf |